关于开展2026年度“中国电子学会博士生科研激励计划（集成电路专项）”申报征集的通知

中国电子学会博士生会员，各位会员专家：

中国电子学会博士生科研激励计划（集成电路专项），是由中国电子学会联合长江存储控股股份有限公司（简称“长存集团”）共同发起。旨在发现并培养集成电路相关技术领域博士生，提供资金和科研平台，以支持其学业发展和科研实践。现启动首期项目申报征集工作。

一、专业范围

集成电路科学与工程、材料科学与工程、物理学、电子科学与技术、计算机科学与技术等相关专业均可申请。

二、申请条件

中国电子学会学生会员中的在读博士研究生，满足以下条件，均可申请。
    1. 博士毕业时间不早于2028年6月；
    2. 以第一作者（或导师为第一作者，申请人为第二作者）身份在顶级刊物或会议上发表论文；或作为骨干参与实验室或导师的国家级大型科研项目；
    3. 对集成电路创新研究有浓厚兴趣，已产出优秀研究成果并在应用落地方面进行过探索和尝试；
    4. 能够独立提出明确的研究方向且具有较强创新性，具备独立设计研究内容和研究方法的能力。

三、评选安排

中国电子学会和长存集团共同成立项目组（下称项目组），组织专家评选。

四、支持名额和方式

（一）名额

本年度计划不超过12人入选。

（二）激励方式

1. 资金支持。入选人每人10万元（税前），为期一年。资金可按自身规划，用于集成电路相关前沿探索、海内外交流访学及相关合作伙伴科研支出等。入选人及其导师为资金共同管理人，负责资金的规划和使用。

2. 科研资源。入选人有机会获得长存集团实习邀约。访学期间，可结合企业提供的平台和资源开展研究工作，与企业资深专家共同推动前沿研究成果在现实场景中的创新应用。

3. 其他支持。入选人有机会获邀参与中国电子学会举办的相关学术活动、分享科研成果。

五、申报说明

（一）申请人登录http://etst.cie.org.cn，在右侧博士生科研激励计划版块，点击“集成电路专项”在线提交申请表（模板详见附件1），申请人须获得本人在校导师的推荐。本次申请无需提交纸质材料。

（二）申请账号获取。请联系etst@cie.org.cn邮箱，并在邮件中写明单位名称（具体到院系）、姓名、计划毕业时间等基本信息。

（三）每位申请人限提交一份申请，并选择1—2个重点方向。重点支持方向包括：

1. 多级异构存储架构及其性能优化研究

2. 高算力存储芯片互连接口协议与信号完整性研究

3. 集成电路关键材料、工艺和器件机理研究

4. 异构集成界面键合机理、热-力耦合行为与可靠性研究

详见附件2。

（四）申请人须确认：1.所在高校/科研院所可以作为资金托管单位，并签署经费接收和管理协议；2.申请人本人可以作为项目负责人签署项目保密协议等相关承诺文件。

（五）申报截止时间：2026年9月7日中午12:00前。

六、资金管理

1. 协议签署。经评审入选激励计划后，中国电子学会与入选者及其所在单位签署协议。入选者配合协议签署工作。如因入选者或其所在单位原因导致协议在结果公布后3个月内未能签署完成，视为放弃参与激励计划。

2. 项目交流。入选者根据工作要求，如期填写《项目阶段性进展报告》并参加项目交流。

3. 结题。入选者应按要求填写《结题报告》，完成项目结题提交。

4. 期限及终止。周期为1年。入选者原则上不可中途放弃，如有特殊情况，须提交《放弃激励计划声明》，加盖入选者所在单位公章后，由项目组存档。如项目执行期间因入选者自身原因中断研究工作，须在研究终止时根据具体研究进度，向项目组提交经费使用说明，退回经费余额。

七、联系方式

（一）中国电子学会

联 系 人：章蓥 荆博

联系电话：010-68600692  68600699

联系邮箱：etst@cie.org.cn

（二）长存集团

联 系 人：徐全雅

联系电话：027-67320000-20433

联系邮箱：Marcus_Xu@ymtc.com

附件：

附件1：2026中国电子学会博士生科研激励计划（集成电路专项）申请表（模板）.docx

附件2：2026中国电子学会博士生科研激励计划（集成电路专项）重点支持方向.docx