第十九届电子年会｜“射频和功率器件与集成电路”专题论坛成功召开

第十九届中国电子信息年会于2026年4月17-19日在中国光谷科技会展中心召开。4月18日下午，“射频和功率器件与集成电路”专题论坛成功举办，本次论坛由成都信息工程大学和电子科技大学共同主办。论坛主席中国科学院郝跃院士和中国工程院苏东林院士，成都信息工程大学校长何健新教授，执行主席成都信息工程大学副校长、电子科技大学罗小蓉教授和电子科技大学杨涛教授出席会议，来自北京大学等知名高校和华润微电子有限公司等领军企业的十余位专家做了精彩的报告，论坛由罗小蓉教授与杨涛教授主持。

专题论坛合影

郝跃院士致辞

论坛主席、西安电子科技大学郝跃院士致辞，热烈欢迎各位专家学者、产业界同仁以及青年师生参加论坛。他指出，射频和功率器件与集成电路是电子信息产业核心基石，在集成电路、轨道交通、先进能源等战略性新兴领域起着关键作用，希望青年学者与学子能够勇担使命，成为核心技术攻关的生力军，为我国电子信息产业持续发展注入新鲜的血液。

苏东林院士致辞

论坛主席、北京航空航天大学苏东林院士在致辞中强调，射频和功率器件与集成电路作为电子信息产业的“核芯”，其技术创新与产业升级对电子信息产业的高质量发展至关重要。她呼吁高校、科研院所与企业进一步加强协同创新，共同促进学科交叉融合，重视基础课程教育，提升本科和研究生人才培养实践创新能力，聚焦应用需求，加速关键技术突破与产业化应用进程。

何建新校长致辞

何建新校长代表主办单位致辞时表示，成都信息工程大学和电子科技大学共同主办专题论坛并邀请院士专家们共同交流，意义深远。他提出三点希望：一是让论坛成为学术思想“策源地”，让专家学者们碰撞出原创思想的火花，破解理论技术瓶颈。二是搭建产教融合“连心桥”，深化校企合作，打通创新全链条，加速科技成果转化。三是建设青年人才“孵化器”，依托前辈专家的丰富经验，培育出胸怀“国之大者”、勇于创新的高水平后备力量，支撑产业长远发展。

罗小蓉教授主持专题论坛

论坛执行主席罗小蓉教授与杨涛教授主持专家报告环节。

杨学林教授作报告

北京大学杨学林教授作“氮化物半导体中的缺陷与缺陷工程”特邀报告。报告介绍北京大学专注于氮化物半导体材料的大失配异质外延及其相关的物理和器件研究，取得了在国内外同行中有影响的研究成果。相关成果应用于华润微电子、京东方、北方华创等行业龙头公司，产生了显著的经济和社会效益。

张波教授作报告

电子科技大学集成电路研究中心主任张波教授作“AI时代下的功率半导体技术发展”特邀报告。报告指出数据中心是支撑人工智能发展的核心基础设施与算力底座，算力的底座是能源。功率半导体作为新能源的基础电子器件，在AI时代要积极服务于AI，利用AI推动功率半导体发展。

刘元安教授作报告

北京邮电大学刘元安教授作“宽带多频智能射频”特邀报告。报告聚焦团队近年在宽带多频领域的研究成果，系统介绍射频交换技术、天线阵列驱动的射频电路系统与智能架构，阐述相关基础理论、研究方法及核心关键技术。同时，分析射频电路多维复用通道效能与规模化应用下的资源优化成效，并展望该技术在多类场景的应用前景。

张进成教授作报告

西安电子科技大学副校长张进成教授作“高功率宽禁带半导体射频器件与功率器件研究进展”特邀报告。报告针对高结温器件性能劣化、高密度散热困难、高电场击穿等行业关键难题，介绍团队近年来围绕高导热超薄氮化物外延材料、耐高温异质结构、高效P型掺杂等创新方向的基础研究与核心技术攻关成果，研发出了具备超高功率密度与功率优值的新型半导体器件。

周鹏教授作报告

复旦大学集成电路与微纳电子创新学院副院长周鹏教授作“后摩尔时代电子器件与集成”特邀报告。报告提出新材料、新器件与全新架构是后摩尔时代集成电路核心发展方向。团队研发二维半导体芯片并完成大规模逻辑验证，可与硅基工艺深度融合。提出电荷超注入机制，研制出极速闪存器件，刷新非易失存储速度上限，突破现有技术壁垒，重塑存储技术发展格局。

罗小蓉教授作报告

罗小蓉教授作“面向高效电力电子应用的GaN/Si混并联开关”特邀报告。报告针对GaN HEMT动态导通电阻退化和缺乏雪崩耐受能力两个难题，提出GaN HEMT与Si MOSFET的混并联开关拓扑，解决了传统纯GaN开关方案中动态电阻高和非钳位感性开关易失效的关键问题，实现了动态导通电阻降低20%以上、雪崩能量耐受能力提升两个数量级的性能突破。

郑晨焱高级工程师作报告

华润微电子中央研究院副院长郑晨焱高级工程师作“芯征程镓机遇：华润微氮化镓全产业链布局与商业化实践”特邀报告。报告系统分析了氮化镓（GaN）当前市场规模、区域竞争格局及未来增长趋势，深入探讨衬底技术的突破、器件结构的优化，明晰技术演进路径，聚焦GaN应用场景，展示其在消费电子快充、数据中心电源、新能源汽车及射频通讯等领域的广阔前景。

赵涤燹教授作报告

东南大学首席教授、鹏城国家实验室宽带通信部副主任赵涤燹作“CMOS毫米波芯片和集成相控阵天线研究进展”特邀报告。报告详细介绍了毫米波CMOS相控阵芯片和天线核心技术和最新研究成果，指出CMOS工艺具有高集成度、高成品率和低成本的优势，随着工艺的进步，基于先进CMOS工艺的电路目前可以工作在毫米波频段，使得实现低成本、全集成多通道毫米波相控阵芯片成为可能。

吴琦教授作报告

北京航空航天大学教授、电磁兼容与防护全国重点实验室副主任吴琦作“特征模分析3.0：从更实际到更智能”特邀报告。报告提出特征模分析3.0（从更实际到更智能），结合工程需求，分析特征模分析遇到的重大瓶颈问题，研提特征模分析的智能化发展路径，并介绍最新的特征模分析在飞行器天线布局中的应用和特征模分析软件的研究进展。

杨涛教授作报告

电子科技大学杨涛教授作“宽带多频可重构射频芯片理论与设计技术”特邀报告。针对射频芯片在复杂电磁环境下面临的电磁干扰抑制难题、超宽带射频芯片的性能退化问题，以及多功能多任务需求导致的芯片面积激增等挑战，报告系统阐述了宽带多频可重构射频芯片的相关理论与设计方法，重点介绍了高滚降与大范围可重构片上滤波芯片技术、超宽带可重构放大芯片技术，以及射频器件一体化融合技术等成果。

徐科研究员主持圆桌论坛

圆桌论坛“宽禁带·拓未来——宽禁带半导体射频与功率器件创新与发展高峰”由苏州纳维科技有限公司董事长徐科研究员主持。

圆桌论坛现场

中电科五十五所副总工程师王维波研究员，苏州镓和半导体有限公司董事长、南京邮电大学唐为华教授，西安电子科技大学副校长张进成教授，东南大学集成电路学院院长孙伟锋教授，中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵教授介绍了所在团队的科研进展和成果，并围绕宽禁带发展中的“技术突破与路径博弈”“应用需求与市场牵引”“产业生态与创新模式”进行研讨，助推宽禁带半导体技术进步和产业发展。

本次专题论坛围绕功率器件在高频高压工况下受复杂多物理场耦合与动态陷阱效应制约，及射频集成电路在宽带性能、干扰抑制、能效提升及异质集成等方面的理论瓶颈，深入研讨从基础理论、关键技术到标准演进与产业落地的完整创新链条。通过产学研深度对话，凝聚智慧，突破瓶颈，合力推动我国射频与功率器件集成电路的自主创新与高质量发展。